新技術可讓金屬鉑“化身”半導體
2018年08月17日 8:50 4997次瀏覽 來源： 中國有色網(wǎng) 分類： 新材料前沿 作者： 華義
日本研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，可以擁有類似硅等半導體的特性。研究人員認為，這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)了對于半導體材料的傳統(tǒng)認知，有助于推動相關領域發(fā)展。
傳統(tǒng)意義上，金屬和半導體被嚴格區(qū)分，金屬一般導電性能好，而半導體介于絕緣體和導體之間，導電性可受控制。用硅等常見半導體材料制造的晶體管廣泛應用于各種電子設備中。
京都大學研究小組發(fā)現(xiàn)，在一種名為“釔鐵石榴石”的磁性絕緣體上將重金屬鉑制成只有2納米厚的超薄膜時，它可以像半導體一樣，通過外部電壓控制電阻。
此外，研究人員還發(fā)現(xiàn)鉑能夠大幅調(diào)節(jié)和控制“自旋軌道耦合”這一效應。“自旋軌道耦合”是指粒子自旋和軌道運動之間的相互作用，在自旋電子學等研究中扮演關鍵角色。半導體或其他新材料的研究常常會涉及這一效應。
責任編輯：淮金
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